昇和在线 对话瑶芯微董事长郭亮良: 碳化硅MOSFET系统成本快速下降, AI服务器带来新需求
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)被认为是功率半导体行业进步的主要方向。在近几年国内厂商不断沉淀技术与升级产品的背景下,国产碳化硅 MOSFET在2024年开始放量。 碳化硅 MOSFET相比IGBT有哪些性能优越性?系统成本是否实现追平?国内碳化硅产业还面临哪些挑战?近日昇和在线,第一财经专访瑶芯微董事长郭亮良,就上述话题进行交流。 性能优越,百亿美元市场可期 与IGBT相比,碳化硅器件在高压、高频、高温环境下有更好的表现,可以带来更高的电能转换效率及更低的能量损耗,最近几年在.
09-06 2024